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PSMN4R1-30YLC,115
PSMN4R1-30YLC,115
제품 모델:
PSMN4R1-30YLC,115
제조사:
Nexperia
기술:
MOSFET N-CH 30V 90A LFPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
70559 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
1.PSMN4R1-30YLC,115.pdf2.PSMN4R1-30YLC,115.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
전압 - 테스트:1502pF @ 15V
전압 - 파괴:LFPAK56, Power-SO8
아이디 @ VGS (일) (최대):4.35 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (최대):4.5V, 10V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
연속:-
RoHS 상태:Digi-Reel®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):92A (Tc)
편광:SC-100, SOT-669
다른 이름들:1727-5304-6
568-6737-6
568-6737-6-ND
작동 온도:-
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:PSMN4R1-30YLC,115
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:23nC @ 10V
IGBT 유형:±20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:1.95V @ 1mA
FET 특징:N-Channel
확장 설명:N-Channel 30V 92A (Tc) 67W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
소스 전압에 드레인 (Vdss):-
기술:MOSFET N-CH 30V 90A LFPAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):30V
용량 비율:67W (Tc)
Email:[email protected]

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