조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 700mV @ 1mA |
제조업체 장치 패키지: | 8-TSSOP |
연속: | TrenchMOS™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 19 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
전력 - 최대: | 3.1W |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
다른 이름들: | 568-2360-2 934057596518 PMWD16UN /T3 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1366pF @ 16V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 23.6nC @ 4.5V |
FET 유형: | 2 N-Channel (Dual) |
FET 특징: | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 20V |
상세 설명: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.9A 3.1W Surface Mount 8-TSSOP |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 9.9A |
Email: | [email protected] |