NTD4854N-1G
NTD4854N-1G
제품 모델:
NTD4854N-1G
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
MOSFET N-CH 25V 15.7A IPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
67650 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
NTD4854N-1G.pdf

소개

We can supply NTD4854N-1G, use the request quote form to request NTD4854N-1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NTD4854N-1G.The price and lead time for NTD4854N-1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NTD4854N-1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):2.5V @ 250µA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:I-PAK
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):3.6 mOhm @ 30A, 10V
전력 소비 (최대):1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:4600pF @ 12V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:49.2nC @ 4.5V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):25V
상세 설명:N-Channel 25V 15.7A (Ta), 128A (Tc) 1.43W (Ta), 93.75W (Tc) Through Hole I-PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):15.7A (Ta), 128A (Tc)
Email:[email protected]

빠른 견적 요청

제품 모델
수량
회사
이메일
전화
메모/주석