NSBC115EDXV6T1G
- 제품 모델:
- NSBC115EDXV6T1G
- 기술:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 11952 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- NSBC115EDXV6T1G.pdf
소개
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규격
| 조건 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 50V |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 트랜지스터 유형: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 제조업체 장치 패키지: | SOT-563 |
| 연속: | - |
| 저항기 - 이미 터베이스 (R2): | 100 kOhms |
| 저항기 -베이스 (R1): | 100 kOhms |
| 전력 - 최대: | 500mW |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | SOT-563, SOT-666 |
| 다른 이름들: | NSBC115EDXV6T1G-ND NSBC115EDXV6T1GOSTR |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 4 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 주파수 - 전환: | - |
| 상세 설명: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 80 @ 5mA, 10V |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 500nA |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 100mA |
| 기본 부품 번호: | NSBC1* |
| Email: | [email protected] |
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