NCV84160DR2G
- 제품 모델:
- NCV84160DR2G
- 기술:
- 160MOHM SMARTFET
- 사용 가능한 수량:
- 49878 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- NCV84160DR2G.pdf
소개
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규격
| 조건 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 전압 - 공급: | 4.5 V ~ 28 V |
| 제조업체 장치 패키지: | 8-SOIC |
| 연속: | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반): | - |
| 패키지 / 케이스: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 입력 주파수: | 1 |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 40 Weeks |
| 논리 전압 - VIL, VIH: | 0.9V, 2.1V |
| 무연 상태: | Lead free |
| 입력 유형: | CMOS |
| 게이트 유형: | IGBT |
| 구동 구성: | High-Side |
| 상세 설명: | High-Side Gate Driver IC CMOS 8-SOIC |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크): | - |
| 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대): | Single |
| Email: | [email protected] |
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