조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지: | - |
전압 - 공급: | 2.7 V ~ 3.6 V |
과학 기술: | FLASH - NAND |
연속: | - |
포장: | Tape & Reel (TR) |
다른 이름들: | MT29F4T08EYCBBG9-37:B TR-ND MT29F4T08EYCBBG9-37:BTR |
작동 온도: | 0°C ~ 70°C (TA) |
수분 민감도 (MSL): | 3 (168 Hours) |
메모리 유형: | Non-Volatile |
메모리 크기: | 4Tb (512G x 8) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
메모리 형식: | FLASH |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
상세 설명: | FLASH - NAND Memory IC 4Tb (512G x 8) Parallel 267MHz |
클럭 주파수: | 267MHz |
Email: | [email protected] |