조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 25V |
트랜지스터 유형: | NPN |
제조업체 장치 패키지: | TO-92-3 |
연속: | - |
전력 - 최대: | 350mW |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
잡음 지수 (f에서 dB Typ): | - |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
이득: | - |
주파수 - 전환: | 650MHz |
상세 설명: | RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 350mW Through Hole TO-92-3 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 60 @ 4mA, 10V |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 50mA |
기본 부품 번호: | MPSH10 |
Email: | [email protected] |