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LTC4442EMS8E-1#PBF
LTC4442EMS8E-1#PBF
제품 모델:
LTC4442EMS8E-1#PBF
제조사:
기술:
IC DRVR NCH MOSFET 8-MSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
26966 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
LTC4442EMS8E-1#PBF.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
전압 - 파괴:8-MSOP-EP
쉘 스타일:6 V ~ 9.5 V
연속:-
RoHS 상태:Tube
상승 / 하강 시간 (일반):2.4A, 2.4A
편광:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
작동 온도:-40°C ~ 125°C (TJ)
입력 주파수:Half-Bridge
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:6 Weeks
제조업체 부품 번호:LTC4442EMS8E-1#PBF
논리 전압 - VIL, VIH:N-Channel MOSFET
입력 유형:Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩):12ns, 8ns
게이트 유형:2
확장 설명:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-MSOP-EP
기술:IC DRVR NCH MOSFET 8-MSOP
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크):-
전류 - 출력 (최대):42V
회로 당 채널:Synchronous
Email:[email protected]

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