조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 1.2V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지: | 8-PDIP |
연속: | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 190 Ohm @ 10mA, 10V |
전력 - 최대: | 1.3W |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
작동 온도: | -20°C ~ 125°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 16 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | - |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | - |
FET 유형: | 3 N-Channel, Common Gate |
FET 특징: | Standard |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 600V |
상세 설명: | Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W Through Hole 8-PDIP |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 80mA |
Email: | [email protected] |