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IXTN660N04T4
IXTN660N04T4
제품 모델:
IXTN660N04T4
제조사:
IXYS Corporation
기술:
40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
11237 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
1.IXTN660N04T4.pdf2.IXTN660N04T4.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 250µA
Vgs (최대):±15V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:SOT-227B
연속:TrenchT4™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):0.85 mOhm @ 100A, 10V
전력 소비 (최대):1040W (Tc)
포장:Bulk
패키지 / 케이스:SOT-227-4, miniBLOC
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Chassis Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:24 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:44000pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:860nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:Current Sensing
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):40V
상세 설명:N-Channel 40V 660A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):660A (Tc)
Email:[email protected]

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