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IXTD1R4N60P 11
제품 모델:
IXTD1R4N60P 11
제조사:
IXYS Corporation
기술:
MOSFET N-CH 600V
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
49835 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
IXTD1R4N60P 11.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):5.5V @ 25µA
Vgs (최대):±30V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:Die
연속:PolarHV™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):9 Ohm @ 700mA, 10V
전력 소비 (최대):50W (Tc)
패키지 / 케이스:Die
다른 이름들:IXTD1R4N60P11
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:140pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:5.2nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):600V
상세 설명:N-Channel 600V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount Die
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):1.4A (Tc)
Email:[email protected]

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