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IXFM10N90
제품 모델:
IXFM10N90
제조사:
IXYS Corporation
기술:
POWER MOSFET TO-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
13916 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
IXFM10N90.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):4.5V @ 4mA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-204AA
연속:HiPerFET™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):1.1 Ohm @ 5A, 10V
전력 소비 (최대):300W (Tc)
패키지 / 케이스:TO-204AA, TO-3
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:4200pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:155nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):900V
상세 설명:N-Channel 900V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AA
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):10A (Tc)
Email:[email protected]

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