조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.1V @ 50µA |
Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
연속: | HEXFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
전력 소비 (최대): | 2.7W (Ta), 39W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 8-TQFN Exposed Pad |
다른 이름들: | IRFHM4226TRPBFTR SP001556568 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 2000pF @ 13V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 25V |
상세 설명: | N-Channel 25V 28A (Ta) 2.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 28A (Ta) |
Email: | [email protected] |