조건 | New & Unused, Original Packing |
---|---|
유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 700mV @ 250µA |
Vgs (최대): | ±12V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | Micro8™ |
연속: | HEXFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
전력 소비 (최대): | 1.8W (Ta) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
다른 이름들: | IRF7604TRPBF-ND IRF7604TRPBFTR SP001554362 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 2 (1 Year) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 590pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 20nC @ 4.5V |
FET 유형: | P-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 2.7V, 4.5V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 20V |
상세 설명: | P-Channel 20V 3.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™ |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 3.6A (Ta) |
Email: | [email protected] |