조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.2V @ 13µA |
Vgs (최대): | ±16V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | PG-TO252-3 |
연속: | OptiMOS™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 9 mOhm @ 30A, 10V |
전력 소비 (최대): | 42W (Tc) |
포장: | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
다른 이름들: | IPD30N03S4L-09INCT IPD30N03S4L-09INCT-ND IPD30N03S4L09ATMA1CT |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1520pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 30V |
상세 설명: | N-Channel 30V 30A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 30A (Tc) |
Email: | [email protected] |