조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.4V @ 100µA |
Vgs (최대): | 10V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | 4-Power Tab |
연속: | HTMOS™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
전력 소비 (최대): | 50W (Tj) |
포장: | Bulk |
패키지 / 케이스: | 4-SIP |
다른 이름들: | 342-1091 HTNFET-T-ND HTNFETT |
작동 온도: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 8 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Contains lead / RoHS non-compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 290pF @ 28V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 4.3nC @ 5V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 5V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 55V |
상세 설명: | N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 4-Power Tab |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | - |
Email: | [email protected] |