조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 50V |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 300mV @ 10mA, 100mA |
트랜지스터 유형: | 2 PNP (Dual) |
제조업체 장치 패키지: | ES6 |
연속: | - |
전력 - 최대: | 100mW |
포장: | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스: | SOT-563, SOT-666 |
다른 이름들: | HN1A01FE-Y(T5LFTCT HN1A01FE-Y(T5LFTCT-ND HN1A01FE-YLF(BCT HN1A01FE-YLF(BCT-ND HN1A01FE-YLFCT |
작동 온도: | 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 16 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
주파수 - 전환: | 80MHz |
상세 설명: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 120 @ 2mA, 6V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 100nA (ICBO) |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 150mA |
Email: | [email protected] |