조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
전압 - 테스트: | 2050pF @ 25V |
전압 - 파괴: | TO-220F-3 (Y-Forming) |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 1.55 Ohm @ 4A, 10V |
Vgs (최대): | 10V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
연속: | QFET® |
RoHS 상태: | Tube |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 8A (Tc) |
편광: | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 23 Weeks |
제조업체 부품 번호: | FQPF8N80CYDTU |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 45nC @ 10V |
IGBT 유형: | ±30V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 5V @ 250µA |
FET 특징: | N-Channel |
확장 설명: | N-Channel 800V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming) |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
기술: | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 800V |
용량 비율: | 59W (Tc) |
Email: | [email protected] |