FQPF8N80CYDTU
FQPF8N80CYDTU
Modelo do Produto:
FQPF8N80CYDTU
Fabricante:
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
11727 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FQPF8N80CYDTU.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - Teste:2050pF @ 25V
Tensão - Breakdown:TO-220F-3 (Y-Forming)
VGS (th) (Max) @ Id:1.55 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (Max):10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:QFET®
Status de RoHS:Tube
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8A (Tc)
Polarização:TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:23 Weeks
Número de peça do fabricante:FQPF8N80CYDTU
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:45nC @ 10V
Tipo de IGBT:±30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5V @ 250µA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 800V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:800V
Rácio de capacitância:59W (Tc)
Email:[email protected]

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