조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지: | ISOPLUS i4-PAC™ |
연속: | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 24 mOhm @ 38A, 10V, 11 mOhm @ 25A, 10V |
전력 - 최대: | 89W, 132W |
패키지 / 케이스: | ISOPLUSi5-Pak™ |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
제조업체 표준 리드 타임: | 28 Weeks |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 197nC @ 10V, 104nC @ 10V |
FET 유형: | N and P-Channel, Common Drain |
FET 특징: | Standard |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 100V |
상세 설명: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 100V 54A (Tc), 62A (Tc) 89W, 132W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 54A (Tc), 62A (Tc) |
Email: | [email protected] |