FDMS3660S-F121
FDMS3660S-F121
제품 모델:
FDMS3660S-F121
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
20212 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
FDMS3660S-F121.pdf

소개

We can supply FDMS3660S-F121, use the request quote form to request FDMS3660S-F121 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FDMS3660S-F121.The price and lead time for FDMS3660S-F121 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FDMS3660S-F121.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):2.7V @ 250µA
제조업체 장치 패키지:Power56
연속:PowerTrench®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):8 mOhm @ 13A, 10V
전력 - 최대:1W
포장:Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스:8-PowerTDFN
다른 이름들:FDMS3660S-F121CT
FDMS3660S_F121CT
FDMS3660S_F121CT-ND
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1765pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:29nC @ 10V
FET 유형:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 특징:Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss):30V
상세 설명:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):13A, 30A
Email:[email protected]

빠른 견적 요청

제품 모델
수량
회사
이메일
전화
메모/주석