DGD2103S8-13
- 제품 모델:
- DGD2103S8-13
- 기술:
- IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 78186 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- DGD2103S8-13.pdf
소개
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규격
| 조건 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 전압 - 공급: | 10 V ~ 20 V |
| 제조업체 장치 패키지: | 8-SO |
| 연속: | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반): | 100ns, 35ns |
| 포장: | Cut Tape (CT) |
| 패키지 / 케이스: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 다른 이름들: | DGD2103S8-13DICT |
| 작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 입력 주파수: | 2 |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 3 (168 Hours) |
| 논리 전압 - VIL, VIH: | 0.8V, 2.5V |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 유형: | Non-Inverting |
| 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩): | 600V |
| 게이트 유형: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 구동 구성: | Half-Bridge |
| 상세 설명: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크): | 290mA, 600mA |
| 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대): | Independent |
| Email: | [email protected] |
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