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BUK7E4R3-75C,127
BUK7E4R3-75C,127
제품 모델:
BUK7E4R3-75C,127
제조사:
NXP Semiconductors / Freescale
기술:
MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
42912 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
BUK7E4R3-75C,127.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 1mA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:I2PAK
연속:TrenchMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):4.3 mOhm @ 25A, 10V
전력 소비 (최대):333W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
다른 이름들:568-6630
568-6630-5
568-6630-ND
934060123127
BUK7E4R3-75C,127-ND
BUK7E4R375C127
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:11659pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:142nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):75V
상세 설명:N-Channel 75V 100A (Tc) 333W (Tc) Through Hole I2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):100A (Tc)
Email:[email protected]

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