조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.5V @ 1mA |
Vgs (최대): | ±10V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | P-TO220AB |
연속: | TEMPFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 120 mOhm @ 7.8A, 4.5V |
전력 소비 (최대): | 50W (Tc) |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | TO-220-3 |
다른 이름들: | BTS115A BTS115AIN BTS115AIN-ND SP000011193 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 735pF @ 25V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 4.5V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 50V |
상세 설명: | N-Channel 50V 15.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole P-TO220AB |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 15.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |