AS4C32M16MSA-6BINTR
- 제품 모델:
- AS4C32M16MSA-6BINTR
- 기술:
- IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 16587 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- AS4C32M16MSA-6BINTR.pdf
소개
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규격
| 조건 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 전압 - 공급: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 과학 기술: | SDRAM - Mobile SDRAM |
| 제조업체 장치 패키지: | 54-FBGA (8x8) |
| 연속: | - |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | 54-VFBGA |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 3 (168 Hours) |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 크기: | 512Mb (32M x 16) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 메모리 형식: | DRAM |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 8 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명: | SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 166MHz 5.5ns 54-FBGA (8x8) |
| 클럭 주파수: | 166MHz |
| 액세스 시간: | 5.5ns |
| Email: | [email protected] |
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