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APTM100TDU35PG
APTM100TDU35PG
제품 모델:
APTM100TDU35PG
제조사:
Microsemi
기술:
MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
34671 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
APTM100TDU35PG.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):5V @ 2.5mA
제조업체 장치 패키지:SP6-P
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):420 mOhm @ 11A, 10V
전력 - 최대:390W
포장:Bulk
패키지 / 케이스:SP6
작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Chassis Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:5200pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:186nC @ 10V
FET 유형:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 특징:Standard
소스 전압에 드레인 (Vdss):1000V (1kV)
상세 설명:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP6-P
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):22A
Email:[email protected]

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