조건 | New & Unused, Original Packing |
---|---|
유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.5V @ 250µA |
Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
연속: | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 3 Ohm @ 250mA, 10V |
전력 소비 (최대): | 350mW (Ta) |
포장: | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
다른 이름들: | 2N7002E-T1-GE3CT |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 33 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 21pF @ 5V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 0.6nC @ 4.5V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 60V |
상세 설명: | N-Channel 60V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 240mA (Ta) |
Email: | [email protected] |