状況 | New & Unused, Original Packing |
---|---|
出典 | Contact us |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 250mV @ 5mA, 100mA |
トランジスタ型式: | PNP - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ: | NS-B1 |
シリーズ: | - |
抵抗器ベース(R2): | 10 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1): | 2.2 kOhms |
電力 - 最大: | 300mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 3-SSIP |
他の名前: | UN4124-(TA) UNR412400ATB |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 200MHz |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 60 @ 100mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 1µA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 500mA |
Email: | [email protected] |