SQS850EN-T1_GE3
SQS850EN-T1_GE3
部品型番:
SQS850EN-T1_GE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET N-CH 60V 12A POWERPAK1212
在庫数量:
31311 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SQS850EN-T1_GE3.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PowerPAK® 1212-8
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):21.5 mOhm @ 6.1A, 10V
電力消費(最大):33W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:PowerPAK® 1212-8
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2021pF @ 30V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:41nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
詳細な説明:N-Channel 60V 12A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):12A (Tc)
Email:[email protected]

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