状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 250µA |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO251-3 |
シリーズ: | SIPMOS® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 300 mOhm @ 6.2A, 10V |
電力消費(最大): | 42W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
他の名前: | SP000012086 SPU08P06PIN SPU08P06PX SPU08P06PXTIN SPU08P06PXTIN-ND |
運転温度: | - |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 420pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 13nC @ 10V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 60V |
詳細な説明: | P-Channel 60V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 8.83A (Ta) |
Email: | [email protected] |