状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 3.9V @ 500µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO262-3-1 |
シリーズ: | CoolMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 380 mOhm @ 7A, 10V |
電力消費(最大): | 125W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
他の名前: | SP000680986 SPI11N60C3 SPI11N60C3BKSA1 SPI11N60C3IN SPI11N60C3IN-ND SPI11N60C3X SPI11N60C3X-ND SPI11N60C3XK |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1200pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 60nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 650V |
詳細な説明: | N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 11A (Tc) |
Email: | [email protected] |