SIR402DP-T1-GE3
SIR402DP-T1-GE3
部品型番:
SIR402DP-T1-GE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
32273 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SIR402DP-T1-GE3.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
同上@ VGS(TH)(最大):2.2V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PowerPAK® SO-8
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):6 mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大):4.2W (Ta), 36W (Tc)
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:PowerPAK® SO-8
他の名前:SIR402DP-T1-GE3CT
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:27 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1700pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:42nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:N-Channel 30V 35A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):35A (Tc)
Email:[email protected]

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