SIHP30N60E-GE3
SIHP30N60E-GE3
部品型番:
SIHP30N60E-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
20056 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SIHP30N60E-GE3.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
電圧 - テスト:2600pF @ 100V
同上@ VGS(TH)(最大):125 mOhm @ 15A, 10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ:E
RoHSステータス:Digi-Reel®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):29A (Tc)
偏光:TO-220-3
他の名前:SIHP30N60E-GE3DKR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:21 Weeks
製造元の部品番号:SIHP30N60E-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:130nC @ 10V
IGBTタイプ:±30V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:4V @ 250µA
FET特長:N-Channel
拡張された説明:N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole
ソース電圧(VDSS)にドレイン:-
説明:MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):600V
静電容量比:250W (Tc)
Email:[email protected]

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