SIHP25N50E-GE3
SIHP25N50E-GE3
部品型番:
SIHP25N50E-GE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
60197 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
1.SIHP25N50E-GE3.pdf2.SIHP25N50E-GE3.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220AB
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):145 mOhm @ 12A, 10V
電力消費(最大):250W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1980pF @ 100V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:86nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:500V
詳細な説明:N-Channel 500V 26A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):26A (Tc)
Email:[email protected]

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