SI8497DB-T2-E1
SI8497DB-T2-E1
部品型番:
SI8497DB-T2-E1
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
66920 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SI8497DB-T2-E1.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
同上@ VGS(TH)(最大):1.1V @ 250µA
Vgs(最大):±12V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:6-microfoot
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):53 mOhm @ 1.5A, 4.5V
電力消費(最大):2.77W (Ta), 13W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:6-UFBGA
他の名前:SI8497DB-T2-E1TR
SI8497DBT2E1
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1320pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:49nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:P-Channel 30V 13A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-microfoot
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):13A (Tc)
Email:[email protected]

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