状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 1V @ 450µA |
Vgs(最大): | ±8V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® 1212-8 |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 10.8 mOhm @ 15.3A, 4.5V |
電力消費(最大): | 1.5W (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | PowerPAK® 1212-8 |
他の名前: | SI7107DN-T1-E3TR SI7107DNT1E3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 44nC @ 4.5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
詳細な説明: | P-Channel 20V 9.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 9.8A (Ta) |
Email: | [email protected] |