RT1C060UNTR
- 部品型番:
- RT1C060UNTR
- メーカー:
- LAPIS Semiconductor
- 説明:
- MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 70028 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- RT1C060UNTR.pdf
簡潔な
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規格
| 状況 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 1V @ 1mA |
| Vgs（最大）: | ±10V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-TSST |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 28 mOhm @ 6A, 4.5V |
| 電力消費（最大）: | 650mW (Ta) |
| パッケージング: | Cut Tape (CT) |
| パッケージ/ケース: | 8-SMD, Flat Lead |
| 他の名前: | RT1C060UNCT RT1C060UNTRCT RT1C060UNTRCT-ND |
| 運転温度: | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 870pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 11nC @ 4.5V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 1.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 20V |
| 詳細な説明: | N-Channel 20V 6A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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