状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 1mA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | I2PAK |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 13.9 mOhm @ 15A, 10V |
電力消費(最大): | 170W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
他の名前: | 1727-5891 568-7510-5 568-7510-5-ND 934064293127 PSMN013-100ES,127-ND PSMN013100ES127 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 3195pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 59nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
詳細な説明: | N-Channel 100V 68A (Tc) 170W (Tc) Through Hole I2PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 68A (Tc) |
Email: | [email protected] |