MJD5731T4G
MJD5731T4G
部品型番:
MJD5731T4G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS PNP 350V 1A DPAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
44715 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
MJD5731T4G.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):1A
電圧 - ブレークダウン:DPAK-3
IB、IC @ Vce飽和(最大):350V
シリーズ:-
RoHSステータス:Tape & Reel (TR)
抵抗 - ベース(R1)(オーム):10MHz
電力 - 最大:1.56W
偏光:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:MJD5731T4G-ND
MJD5731T4GOSTR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:6 Weeks
製造元の部品番号:MJD5731T4G
周波数 - トランジション:30 @ 300mA, 10V
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK-3
説明:TRANS PNP 350V 1A DPAK
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):100µA
電流 - コレクタ遮断(最大):1V @ 200mA, 1A
電流 - コレクタ(Ic)(Max):PNP
Email:[email protected]

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