JAN1N649-1
- 部品型番:
- JAN1N649-1
- メーカー:
- Microsemi
- 説明:
- DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
- フリーステータス/ RoHS状態:
- リード/ RoHS非対応
- 在庫数量:
- 14009 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- JAN1N649-1.pdf
簡潔な
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規格
| 状況 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 電圧 - ピーク逆（最大）: | Standard |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@: | 400mA |
| 電圧 - ブレークダウン: | DO-35 |
| シリーズ: | Military, MIL-PRF-19500/240 |
| RoHSステータス: | Bulk |
| 逆回復時間（trrの）: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| もし、F @抵抗: | - |
| 偏光: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 他の名前: | 1086-15995 1086-15995-MIL |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | JAN1N649-1 |
| 拡張された説明: | Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35 |
| ダイオード構成: | 50nA @ 600V |
| 説明: | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | 1V @ 400mA |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり）: | 600V |
| Vrと、F @キャパシタンス: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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