状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±16V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-223 |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 65 mOhm @ 3.1A, 10V |
電力消費(最大): | 1W (Ta) |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | TO-261-4, TO-261AA |
他の名前: | *IRLL024NTRPBF IRLL024NPBFCT |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 510pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 15.6nC @ 5V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 55V |
詳細な説明: | N-Channel 55V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 3.1A (Ta) |
Email: | [email protected] |