状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 50µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-PQFN (5x6) |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 14.4 mOhm @ 24A, 10V |
電力消費(最大): | 3.6W (Ta), 46W (Tc) |
パッケージング: | Original-Reel® |
パッケージ/ケース: | 8-PowerVDFN |
他の名前: | IRFH5406TR2PBFDKR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1256pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 35nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 60V |
詳細な説明: | N-Channel 60V 11A (Ta), 40A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 11A (Ta), 40A (Tc) |
Email: | [email protected] |