状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 5.5V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SO |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 730 mOhm @ 720mA, 10V |
電力消費(最大): | 2.5W (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 280pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 14nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 200V |
詳細な説明: | N-Channel 200V 1.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 1.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |