状況 | New & Unused, Original Packing |
---|---|
出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 3V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SO |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 250 mOhm @ 1A, 10V |
電力消費(最大): | 1.6W (Ta), 2.5W (Tc) |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前: | IRF7202 IRF7202CT |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 270pF @ 20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 15nC @ 10V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
詳細な説明: | P-Channel 20V 2.5A (Tc) 1.6W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 2.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |