状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
電圧 - テスト: | 5950pF @ 15V |
電圧 - ブレークダウン: | DIRECTFET™ MT |
同上@ VGS(TH)(最大): | 3.4 mOhm @ 23A, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | HEXFET® |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 23A (Ta), 150A (Tc) |
偏光: | DirectFET™ Isometric MT |
他の名前: | IRF6613 IRF6613-ND SP001528856 |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
製造元の部品番号: | IRF6613TR1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 63nC @ 4.5V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 2.25V @ 250µA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 40V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 40V |
静電容量比: | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Email: | [email protected] |