状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 58µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO252-3 |
シリーズ: | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 5.3 mOhm @ 90A, 10V |
電力消費(最大): | 115W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前: | IPD053N06N3 G IPD053N06N3 G-ND IPD053N06N3 GTR-ND IPD053N06N3GBTMA1TR SP000453318 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 6600pF @ 30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 82nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 60V |
詳細な説明: | N-Channel 60V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 90A (Tc) |
Email: | [email protected] |