HN4B01JE(TE85L,F)
HN4B01JE(TE85L,F)
部品型番:
HN4B01JE(TE85L,F)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
62780 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
HN4B01JE(TE85L,F).pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):250mV @ 10mA, 100mA
トランジスタ型式:NPN, PNP (Emitter Coupled)
サプライヤデバイスパッケージ:ESV
シリーズ:-
電力 - 最大:100mW
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:SOT-553
他の名前:HN4B01JE(TE85LF)CT
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション:80MHz
詳細な説明:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ESV
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):120 @ 10MA, 100MA
電流 - コレクタ遮断(最大):100nA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max):150mA
Email:[email protected]

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