GB05SLT12-252
GB05SLT12-252
部品型番:
GB05SLT12-252
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
説明:
DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
62695 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
GB05SLT12-252.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
電圧 - ピーク逆(最大):Silicon Carbide Schottky
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@:5A
電圧 - ブレークダウン:TO-252
シリーズ:-
RoHSステータス:Bulk
逆回復時間(trrの):No Recovery Time > 500mA (Io)
もし、F @抵抗:260pF @ 1V, 1MHz
偏光:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:1242-1129
GB05SLT12252
動作温度 - ジャンクション:0ns
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:18 Weeks
製造元の部品番号:GB05SLT12-252
拡張された説明:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 5A Surface Mount TO-252
ダイオード構成:50µA @ 1200V
説明:DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:1.8V @ 2A
電流 - 平均整流(イオ​​)(ダイオード当たり):1200V (1.2kV)
Vrと、F @キャパシタンス:-55°C ~ 175°C
Email:[email protected]

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