GB05SLT12-252
- Modelo do Produto:
- GB05SLT12-252
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição:
- DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 62695 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- GB05SLT12-252.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - Pico Reversa (Max): | Silicon Carbide Schottky |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 5A |
| Tensão - Breakdown: | TO-252 |
| Série: | - |
| Status de RoHS: | Bulk |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Resistência @ Se, F: | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Polarização: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | 1242-1129 GB05SLT12252 |
| Temperatura de Operação - Junção: | 0ns |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 18 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | GB05SLT12-252 |
| Descrição expandida: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 5A Surface Mount TO-252 |
| configuração de diodo: | 50µA @ 1200V |
| Descrição: | DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252 |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 1.8V @ 2A |
| Atual - rectificada média (Io) (por Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Capacitância @ Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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