状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 40V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 300mV @ 1mA, 10mA |
トランジスタ型式: | NPN - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-92-3 |
シリーズ: | - |
抵抗器 - ベース(R1): | 10 kOhms |
電力 - 最大: | 300mW |
パッケージング: | Tape & Box (TB) |
パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 250MHz |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 100 @ 1mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |